Справочник электронных компонентов

Транзистор AP09N20J

AP09N20J - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP09N20J можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AP09N20H SMD N 69 200 30 4 8.6 0.38 - 25 90 - TO-252
CS630A3H PTH N 83 200 30 4 9 0.28 13 21 90 150 TO-251
CS630A4H SMD N 83 200 30 4 9 0.28 13 21 90 150 TO-252
CS630A8H PTH N 83 200 30 4 9 0.28 13 21 90 150 TO-220AB
SIHB12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-263
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB15N50E SMD N 156 500 30 4 14.5 0.28 33 24 51 150 TO-263
SIHD12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-252
SIHH11N60E SMD N 114 600 30 4 11 0.339 31 21 56 150 PowerPAK8X8
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHP12N50E PTH N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-220AB
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP15N50E PTH N 156 500 30 4 14.5 0.28 33 24 51 150 TO-220AB
STD12N50M2 SMD N 85 500 30 4 10 0.38 15 10.5 33 150 DPAK