Транзистор AP18T10GI полевой MOSFET, его характеристики

AP18T10GI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP18T10GI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN1530	PTH	N	75	100	20	2.5	15	0.115	10	8	50	150	TO-220
AOD4286	SMD	N	30	100	20	2.9	14	0.068	-	2.5	30	175	TO-252
AOD478	SMD	N	45	100	20	2.8	11	0.14	-	3	29	175	TO-252
AOD498	SMD	N	45	100	20	2.3	11	0.14	-	3	31.5	175	TO-252
AOI4286	PTH	N	30	100	20	2.9	14	0.068	-	2.5	30	175	TO-251A
AOI478	PTH	N	45	100	20	2.8	11	0.14	-	3	29	175	TO-251A
AON6486	SMD	N	31	100	20	2.8	10	0.14	-	3	27	150	DFN5X6
AP18T10AGH-HF	SMD	N	27.8	100	20	-	9	0.16	-	10	55	150	TO-252
AP18T10AGJ-HF	PTH	N	27.8	100	20	-	9	0.16	-	10	55	150	TO-251
AP18T10GH	SMD	N	28	100	20	3	9	0.16	-	10	55	150	TO-252
AP18T10GH-HF	SMD	N	28	100	20	-	9	0.16	-	10	55	150	TO-252
AP18T10GJ	PTH	N	28	100	20	3	9	0.16	-	10	55	150	TO-251
AP18T10GJ-HF	PTH	N	28	100	20	-	9	0.16	-	10	55	150	TO-251
AP18T10GP	PTH	N	28	100	20	3	9	0.16	-	10	55	150	TO-220
AP9997BGH-HF	SMD	N	27.8	100	30	-	9.3	0.145	-	10	55	150	TO-252
AP9997BGJ-HF	PTH	N	27.8	100	30	-	9.3	0.145	-	10	55	150	TO-251
HY18N20D	SMD	N	48	200	30	3	18	0.092	-	8.6	55	150	TO-252
HY18N20T	PTH	N	57	200	30	3	18	0.092	-	8.6	55	175	TO-220AB
IPL65R070C7	SMD	N	169	650	20	4	28	0.07	-	6	48	150	ThinPAK8X8
IPL65R099C7	SMD	N	128	650	20	4	21	0.099	-	5	33	150	ThinPAK8X8
IPL65R130C7	SMD	N	102	650	20	4	15	0.13	-	5.3	26	150	ThinPAK8X8
IPP60R099C7	PTH	N	110	600	20	4	22	0.099	-	8	33	150	TO-220
IPW60R099C7	PTH	N	110	600	20	4	22	0.099	-	8	33	150	TO-247
IPZ60R099C7	PTH	N	110	600	20	4	22	0.099	-	6	33	150	TO-247-4
IPZ65R065C7	PTH	N	171	650	20	4	33	0.065	-	7	48	150	TO-247-4
IPZ65R095C7	PTH	N	128	650	20	4	24	0.095	-	8	33	150	TO-247-4
MDD1904RH	SMD	N	35.8	100	20	3	10.8	0.14	-	3.6	51	150	TO-252
MTBA5N10J3	SMD	N	35	100	30	-	10	0.13	-	4.5	31	150	TO-252
SM1A23NSU	SMD	N	44	100	20	-	15	0.1	-	6	45	150	TO-252
SM1A24NSU	SMD	N	36	100	20	-	12	0.12	-	7	36	150	TO-252
STB31N65M5	SMD	N	150	650	25	5	22	0.148	45	8	45	150	D2PAK
STF31N65M5	PTH	N	30	650	25	5	22	0.148	45	8	45	150	TO-220FP
STFI31N65M5	PTH	N	30	650	25	5	22	0.148	45	8	45	150	I2PAKFP
STP31N65M5	PTH	N	150	650	25	5	22	0.148	45	8	45	150	TO-220
STW31N65M5	PTH	N	150	650	25	5	22	0.148	45	8	45	150	TO-247