Справочник электронных компонентов

Транзистор AP2R803GH-HF

AP2R803GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP2R803GH-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AON6276 SMD N 215 80 20 3.2 100 0.0026 - 32 770 150 DFN5X6
AP2R803GH SMD N 104 30 20 3 75 0.0028 - 80 790 150 TO-252
AP2R803GS-HF SMD N 104 30 20 3 80 0.0028 - 80 790 150 TO-263
AP4N2R6H SMD N 104 40 20 5 75 0.0026 - 63 720 150 TO-252
AP4N2R6J PTH N 104 40 20 5 75 0.0026 - 63 720 150 TO-251
AP4N2R6P PTH N 104 40 20 5 130 0.0026 - 63 720 150 TO-220
AP4N2R6S SMD N 104 40 20 5 150 0.0026 - 63 720 150 TO-263
IRFB7440 PTH N 143 40 20 3.9 172 0.0025 90 68 680 175 TO-220AB
IRFH7440 SMD N 104 40 20 3.9 85 0.0024 92 45 700 150 PQFN5X6
IRFR7440PBF SMD N 140 40 20 3.9 90 0.0024 89 39 690 175 TO-252
IRFS7440PBF SMD N 208 40 20 3.9 120 0.0025 90 68 680 175 TO-263
IRFSL7440PBF PTH N 208 40 20 3.9 120 0.0025 90 68 680 175 TO-262
IRFU7440PBF PTH N 140 40 20 3.9 90 0.0024 89 39 690 175 TO-251
SM4023NSKP SMD N 104 40 20 - 100 0.0024 - 10 690 150 DFN5X6-8
SQM100N04-2M7 SMD N 157 40 20 3.5 100 0.0027 95.5 11 744 175 TO-263