Транзистор AP3B026M
AP3B026M - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.026 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 285 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP3B026M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4335 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.014 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SOP-8 |
| AO4435 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.018 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SO-8 |
| AP4411GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
8.2 |
0.025 |
- |
8 |
190 |
150 |
SO-8 |
| AP4455GYT-HF |
SMD |
P |
3.57 |
30 |
20 |
3 |
10.6 |
0.021 |
- |
6 |
280 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP4835GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
9.2 |
0.02 |
- |
6.6 |
195 |
150 |
SO-8 |
| AP4P018M |
SMD |
P |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
9.4 |
0.018 |
- |
5 |
285 |
- |
SO-8 |
| SI3421DV |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
3 |
8.3 |
0.0192 |
- |
9 |
256 |
150 |
TSOP-6 |
| SI4435DDY |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.1 |
0.024 |
- |
8 |
215 |
150 |
SO-8 |
| SI7619DN |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
20 |
3 |
10.5 |
0.021 |
- |
8 |
215 |
150 |
PowerPAK1212-8 |
| TSM4415CS |
SMD |
P |
3 |
30 |
25 |
3 |
8 |
0.026 |
18.1 |
4.4 |
172.8 |
150 |
SOP-8 |