Транзистор AP3N028EN
AP3N028EN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3N028EN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3N018EYT |
SMD |
N |
3.12 |
30 |
20 |
3 |
10.3 |
0.018 |
- |
8 |
95 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP3N028EY |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
3 |
7 |
0.028 |
- |
8 |
95 |
150 |
SOT-26 |
| AP4228GM-HF |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
3 |
6.8 |
0.026 |
- |
8 |
80 |
150 |
SO-8 |
| MMN4414 |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
3 |
8.5 |
0.026 |
7.58 |
3.12 |
86.16 |
150 |
SOP-8 |