Транзистор AP3N2R4MT
AP3N2R4MT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0024 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 77 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3N2R4MT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0203GMT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
38 |
0.0022 |
- |
11.5 |
820 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP0203GMT-L |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
38 |
0.0022 |
- |
11.5 |
820 |
150 |
PMPAK5X6L |
| AP1A003GMT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
52 |
0.0012 |
- |
15 |
1070 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP1A003GMT-HF |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
57 |
0.00099 |
- |
15 |
1070 |
150 |
DFN5X6 |
| AP3N1R8MT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
40.6 |
0.00189 |
- |
12 |
820 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP3N1R8MT-L |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
40.6 |
0.00189 |
- |
12 |
820 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP4N1R8CMT-A |
SMD |
N |
5 |
45 |
20 |
3 |
40 |
0.0018 |
- |
55 |
960 |
150 |
PMPAK5X6 |
| SIE726DF |
SMD |
N |
5.2 |
30 |
20 |
3 |
35 |
0.0024 |
105 |
35 |
1100 |
150 |
PolarPAK |