Транзистор AP3R604GH-HF
AP3R604GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 600 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3R604GH-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0103GP-HF |
PTH |
N |
250 |
40 |
20 |
- |
220 |
0.00299 |
30 |
80 |
605 |
150 |
TO-220 |
| AP3R604GH |
SMD |
N |
104 |
40 |
20 |
3 |
75 |
0.0037 |
- |
80 |
600 |
150 |
TO-252 |
| BUK7Y3R5-40E |
SMD |
N |
167 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0035 |
49.4 |
24.9 |
514 |
175 |
LFPAK56 |
| IRFH7085 |
SMD |
N |
156 |
60 |
20 |
3.7 |
100 |
0.0032 |
110 |
25 |
560 |
150 |
PQFN5X6 |
| NVD5890NL |
SMD |
N |
107 |
40 |
20 |
2.5 |
123 |
0.0037 |
84 |
35 |
580 |
175 |
DPAK |
| SM6025NSKP |
SMD |
N |
250 |
63 |
25 |
- |
100 |
0.0036 |
76 |
17 |
545 |
150 |
DFN5X6-8 |
| SQD100N04-3M6L |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
2.5 |
100 |
0.0036 |
85 |
11 |
560 |
175 |
TO-252 |