Справочник электронных компонентов

Транзистор AP4435GYT-HF

AP4435GYT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: PMPAK3X3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.57 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 245 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP4435GYT-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP4835GMT-HF	SMD	P	31.3	30	25	-	32	0.021	-	7.5	195	150	PMPAK5X6
MTB25P04V8	SMD	P	21	40	20	-	27	0.013	40	7	222	150	DFN3X3
MTP4835V8	SMD	P	28	30	25	-	33	0.016	-	6	138	150	DFN3X3
PZ2003EEA	SMD	P	25	30	25	-	28	0.02	-	6	238	150	PDFN3X3P