Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор AP60T03GH полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60T03GH

AP60T03GH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP60T03GH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP0904GH	SMD	N	44.6	40	20	3	51	0.01	-	6.5	160	-	TO-252
AP0904GJB	PTH	N	44.6	40	20	3	51	0.01	-	6.5	160	-	TO-251S
AP60T03AH	SMD	N	44	30	20	3	45	0.012	-	57.5	200	175	TO-252
AP60T03AJ	PTH	N	44	30	20	3	45	0.012	-	57.5	200	175	TO-251
AP60T03AS	SMD	N	44	30	20	3	45	0.012	-	57.5	200	175	TO-263
AP60T03GJ	PTH	N	44	30	20	3	45	0.012	-	58	200	175	TO-251
AP60T03GP	PTH	N	44	30	20	3	45	0.012	-	57.5	200	175	TO-220
AP62T03GH	SMD	N	47	30	20	3	54	0.012	-	56	190	175	TO-252
SSM60T03GH	SMD	N	44	30	20	3	45	0.012	11.6	57.5	200	175	TO-252
SSM60T03GJ	PTH	N	44	30	20	3	45	0.012	11.6	57.5	200	175	TO-251
SSM60T03GS	SMD	N	44	30	20	3	45	0.012	11.6	57.5	200	175	TO-263