Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60WN1K5I

AP60WN1K5I - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP60WN1K5I можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOTF11S65 PTH N 39 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220F
AOTF11S65L PTH N 39 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220F
AOTF7S65 PTH N 35 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-220F
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
AP60WN1K5H SMD N 83.3 600 30 4 6 1.55 - 24 44 150 TO-252
AP60WN1K5J PTH N 83.3 600 30 4 6 1.55 - 24 44 150 TO-251
AP65WN1K5I PTH N 32.9 650 30 4 6 1.5 - 22 44 150 TO-220F
AP65WN1K5S SMD N 83.3 650 30 4 6 1.5 - 22 44 150 TO-263
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N62E SMD N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-252
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N62E PTH N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-251
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251