Справочник электронных компонентов

Транзистор AP65SL099DI

AP65SL099DI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41.6 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.099 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP65SL099DI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP65SL099DR	PTH	N	277.8	650	20	5	38	0.099	-	39	120	150	TO-262
AP65SL099DWL	PTH	N	277.8	650	20	5	38	0.099	-	39	120	150	TO-247
STB57N65M5	SMD	N	250	710	25	5	42	0.063	98	15	115	150	D2PAK
STI57N65M5	PTH	N	250	650	25	5	42	0.063	98	15	115	150	I2PAK
STP57N65M5	PTH	N	250	650	25	5	42	0.063	98	15	115	150	TO-220
STW57N65M5	PTH	N	250	650	25	5	42	0.063	98	15	115	150	TO-247
STW57N65M5-4	PTH	N	250	650	25	5	42	0.063	98	9	115	150	TO-247-4
STWA57N65M5	PTH	N	250	650	25	5	42	0.063	98	15	115	150	TO-247