Справочник электронных компонентов

Транзистор AP6680SGYT-HF

AP6680SGYT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP6680SGYT-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM4404N SMD N 3.1 30 20 1 16 0.0085 10 6 159 150 SO-8
AM7402N SMD N 5 30 20 1 20 0.0085 10 6 156 150 DFN5X6-8L
AO4476A SMD N 3.1 30 20 2.5 15 0.0077 - 2 180 150 SO-8
AON6414A SMD N 31 30 20 2.5 50 0.008 - 2 180 150 DFN5X6
AON6414AL SMD N 31 30 20 2.5 50 0.008 - 2 180 150 DFN5X6
AON6520 SMD N 31 30 20 2.5 50 0.0085 - 2 180 150 DFN5X6
AON7400A SMD N 25 30 20 2.5 40 0.0075 - 2 180 150 DFN3X3
AON7466 SMD N 25 30 25 2.5 30 0.0075 - 2 180 150 DFN3X3
AP4034GYT-HF SMD N 3.57 30 20 - 15.5 0.009 - 5 185 150 PMPAK3X3
AP6680CGYT-HF SMD N 3.13 30 20 - 15 0.009 - 6 175 150 PMPAK3X3
RJK0395DPA SMD N 30 30 20 - 30 0.0077 - 4.9 225 150 WPAK
RJK0396DPA SMD N 28 30 20 - 30 0.009 - 4.4 185 150 WPAK
RJK03B7DPA SMD N 30 30 20 - 30 0.0078 - 4.8 225 150 WPAK
RJK03E1DNS SMD N 15 30 20 - 25 0.0069 - 4.5 220 150 HWSON8
RJK03E2DNS SMD N 12.5 30 20 - 16 0.009 - 3.9 157 150 HWSON8
RJK03M5DNS SMD N 15 30 20 - 25 0.0063 10.4 3 220 150 HWSON8
RJK03M5DPA SMD N 30 30 20 - 30 0.0065 10.4 3 220 150 WPAK