Транзистор APQ03SN60AB
APQ03SN60AB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 48 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APQ03SN60AB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP60WN1K5H |
SMD |
N |
83.3 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.55 |
- |
24 |
44 |
150 |
TO-252 |
| AP60WN1K5J |
PTH |
N |
83.3 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.55 |
- |
24 |
44 |
150 |
TO-251 |
| AP65WN1K5S |
SMD |
N |
83.3 |
650 |
30 |
4 |
6 |
1.5 |
- |
22 |
44 |
150 |
TO-263 |
| AP70WN1K5P |
PTH |
N |
89.2 |
700 |
30 |
4 |
6 |
1.5 |
- |
23 |
45 |
150 |
TO-220 |
| SIHD6N62E |
SMD |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-252 |
| SIHU6N62E |
PTH |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-251 |