Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ08SN50B

APQ08SN50B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APQ08SN50B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP09N70P-A PTH N 156 650 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-220
AP09N70P-A-HF PTH N 156 650 30 4 9 0.75 - 21 170 150 TO-220
AP09N70P-H-LF PTH N 156 700 30 4 8.3 0.85 - 21 170 150 TO-220
AP09N70R PTH N 156 600 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-262
APQ08SN50BE SMD N 134 500 30 4 8 0.85 - 23 310 150 TO-263
APQ08SN50BH PTH N 134 500 30 4 8 0.85 - 23 310 150 TO-220
APT8075BVFRG PTH N 260 800 30 4 12 0.75 130 11 270 150 TO-247
CS12N60A8HD PTH N 140 600 30 4 12 0.65 46 19 187 150 TO-220AB
CS12N65A8H PTH N 140 650 30 4 12 0.7 44 18 184 150 TO-220AB
FDH15N50 PTH N 300 500 30 4 15 0.38 - 5.4 230 175 TO-247
FDP15N50 PTH N 300 500 30 4 15 0.38 - 5.4 230 175 TO-220AB
HY12N65T PTH N 175 650 30 4 12 0.8 - 22.6 175 150 TO-220AB
KDB15N50 SMD N 300 500 30 4 15 0.38 33 5.4 230 175 TO-263
MSU8N50Q PTH N 134 500 30 4 8 0.85 - 21 200 150 TO-262
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SML8065BVR PTH N 280 800 30 4 13 0.65 150 11 300 150 TO-247AD
SML8075BVR PTH N 260 800 30 4 12 0.75 115 11 265 150 TO-247AD
SML80B13F PTH N 280 800 30 4 13 0.65 150 11 300 150 TO-247AD
SSM09N70GP-A PTH N 156 650 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-220