Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ4ESN50AE

APQ4ESN50AE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APQ4ESN50AE можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APQ4ESN50A PTH N 74 500 30 4 4.5 1.5 - 16 160 150 TO-220
APQ4ESN50AH PTH N 74 500 30 4 4.5 1.5 - 16 160 150 TO-220
CS10N60A8HD PTH N 125 600 30 4 10 0.75 39 16 158 150 TO-220AB
CS7N60A8HD PTH N 100 600 30 4 7 1.25 28 11 112 150 TO-220AB
CS7N65A0D SMD N 100 650 30 4 7 1.4 28 10 100 150 TO-263
CS7N65A3TDY PTH N 95 650 30 4 7 1.4 24 10 93 150 TO-251
CS7N65A4TDY SMD N 95 650 30 4 7 1.4 24 10 93 150 TO-252
CS830A3RD PTH N 75 500 30 4 5 1.5 14.5 11 68 150 TO-251
CS830A4RD SMD N 75 500 30 4 5 1.5 14.5 11 68 150 TO-252
CS8N60A8H PTH N 110 600 30 4 8 1.2 29 15 115 150 TO-220AB
CS8N65A0H SMD N 110 650 30 4 8 1.3 28 15 108 150 TO-263
CS8N65A8H PTH N 110 650 30 4 8 1.3 28 15 108 150 TO-220AB
PNMTO600V8 PTH N 166 600 30 4 8 1.15 28.4 14 109 150 TO-220
SIHB12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-263
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-252
SIHD6N62E SMD N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-252
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHP12N50E PTH N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-220AB
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N62E PTH N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-251
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251
STD12N50M2 SMD N 85 500 30 4 10 0.38 15 10.5 33 150 DPAK
TSM8N50CH PTH N 89 500 30 4 7.2 0.85 26.6 6.8 127.4 150 TO-251
TSM8N50CP SMD N 89 500 30 4 7.2 0.85 26.6 6.8 127.4 150 TO-252