Транзистор APT8075AN
APT8075AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 230 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 370 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT8075AN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT8075BN |
PTH |
N |
310 |
800 |
30 |
4 |
13 |
0.75 |
88 |
18 |
370 |
150 |
TO-247 |