Справочник электронных компонентов

Транзистор ATP103

ATP103 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: ATPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 47 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор ATP103 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM60P04-10D	SMD	P	50	40	20	1	58	0.01	15.3	12	-	175	TO-252
AP4439GH-HF	SMD	P	50	30	25	-	58	0.01	46	35	500	150	TO-252
AP6679BGH-HF	SMD	P	54.3	30	20	-	63	0.009	44	67	520	150	TO-252
AP6679BGP-HF	PTH	P	54.3	30	20	-	63	0.009	44	67	520	150	TO-220
AP6679GH-HF	SMD	P	89	30	20	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-252
AP6679GJ-HF	PTH	P	89	30	20	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-251
AP6679GP	PTH	P	89	30	25	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-220
AP6679GR	PTH	P	89	30	25	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-262