Справочник электронных компонентов

Транзистор BRP50N20

BRP50N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.045 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 445 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор BRP50N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB107N20NA	SMD	N	300	200	20	4	88	0.0107	-	26	401	175	TO-263
IPB117N20NFD	SMD	N	300	200	20	4	84	0.0117	-	10	400	175	TO-263
IPP110N20NA	PTH	N	300	200	20	4	88	0.0107	-	26	401	175	TO-220
IPP120N20NFD	PTH	N	300	200	20	4	84	0.012	-	10	400	175	TO-220
IPP220N25NFD	PTH	N	300	250	20	4	61	0.022	-	10	398	175	TO-220
IRFB4127PBF	PTH	N	375	200	20	5	76	0.02	100	18	410	175	TO-220AB
IRFP4127PBF	PTH	N	341	200	20	5	75	0.021	-	18	410	175	TO-247AC
IRFS4127PBF	SMD	N	375	200	20	5	72	0.022	100	18	410	175	TO-263
IRFSL4127PBF	PTH	N	375	200	20	5	72	0.022	100	18	410	175	TO-262
MTE040N20P3	PTH	N	300	200	20	-	50	0.0302	98.5	29	392	175	TO-247
SQM60N20-35	SMD	N	375	200	20	3.5	60	0.035	90	40	410	175	TO-263