Транзистор BST100
BST100 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор BST100 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3491P |
SMD |
P |
2 |
150 |
20 |
1 |
0.9 |
1.8 |
4.9 |
6 |
29 |
150 |
TSOP-6 |
| AM7153P |
SMD |
P |
3.5 |
150 |
20 |
1 |
1.2 |
1.7 |
4.6 |
5 |
30 |
150 |
DFN3X3-8L |
| IRF6217PBF |
SMD |
P |
2.5 |
150 |
20 |
5 |
0.7 |
2.4 |
6 |
7.2 |
30 |
150 |
SO-8 |
| IRF6217PBF-1 |
SMD |
P |
2.5 |
150 |
20 |
5 |
0.7 |
2.4 |
6 |
7.2 |
30 |
150 |
SO-8 |
| MTE1K0P15KN3 |
SMD |
P |
1.25 |
150 |
20 |
- |
0.69 |
1.01 |
- |
11 |
20 |
150 |
SOT-23 |
| SI2325DS |
SMD |
P |
1.25 |
150 |
20 |
4.5 |
0.69 |
1 |
- |
11 |
30 |
150 |
SOT-23 |
| SI3475DV |
SMD |
P |
3.2 |
200 |
20 |
4 |
0.95 |
1.61 |
- |
11 |
26 |
150 |
SOT-163 |
| SI4409DY |
SMD |
P |
2.2 |
150 |
20 |
4 |
0.9 |
1.2 |
- |
10 |
25 |
150 |
SO-8 |
| SI7117DN |
SMD |
P |
3.2 |
150 |
20 |
4.5 |
1.1 |
1.2 |
- |
11 |
30 |
150 |
PowerPAK1212-8 |
| SI7317DN |
SMD |
P |
3.2 |
150 |
30 |
4.5 |
1.1 |
1.2 |
- |
11 |
15 |
150 |
PowerPAK1212-8 |
| SIA485DJ |
SMD |
P |
2.9 |
150 |
20 |
4.5 |
0.7 |
2.6 |
4.2 |
20 |
8 |
150 |
SC-70-6L |
| SQ2325ES |
SMD |
P |
3 |
150 |
20 |
3.5 |
0.84 |
1.77 |
7.4 |
14 |
20 |
175 |
TO-236 |