Транзистор CEB13N10
CEB13N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 85 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEB13N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB256L |
SMD |
N |
83 |
150 |
20 |
2.8 |
19 |
0.085 |
- |
5 |
61.5 |
175 |
TO-263 |
| AOD2544 |
SMD |
N |
75 |
150 |
20 |
2.7 |
23 |
0.054 |
- |
3 |
78 |
175 |
TO-252 |
| AOD256 |
SMD |
N |
83 |
150 |
20 |
2.8 |
19 |
0.085 |
- |
5 |
61.5 |
175 |
TO-252 |
| AOD4454 |
SMD |
N |
100 |
150 |
20 |
4.6 |
20 |
0.094 |
- |
5.5 |
70 |
175 |
TO-252 |
| CEP13N10 |
PTH |
N |
65 |
100 |
20 |
- |
12.8 |
0.18 |
- |
8 |
85 |
175 |
TO-220 |
| FDB2670 |
SMD |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
- |
5 |
71 |
175 |
TO-263 |
| FDP2670 |
PTH |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
- |
5 |
71 |
175 |
TO-220 |
| KDB2670 |
SMD |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
27 |
5 |
71 |
175 |
TO-263 |
| PSMN075-100MSE |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
4 |
18 |
0.071 |
16.4 |
5.8 |
66 |
175 |
LFPAK33 |