Транзистор CEM1010
CEM1010 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0155 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 76 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEM1010 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19537Q3 |
SMD |
N |
2.8 |
100 |
20 |
3.6 |
9.7 |
0.0145 |
16 |
3 |
251 |
150 |
SON3.3X3.3 |
| SIE854DF |
SMD |
N |
5.2 |
100 |
20 |
4.4 |
13.2 |
0.0142 |
50 |
10 |
250 |
150 |
PolarPAK |