Транзистор CEUF640
CEUF640 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 355 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEUF640 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEBF640 |
SMD |
N |
125 |
200 |
20 |
- |
19 |
0.15 |
44 |
5 |
355 |
150 |
TO-263 |
| CEDF640 |
PTH |
N |
83 |
200 |
20 |
- |
15 |
0.15 |
47 |
5 |
355 |
150 |
TO-251 |
| CEPF640 |
PTH |
N |
125 |
200 |
20 |
- |
19 |
0.15 |
- |
5 |
355 |
150 |
TO-220 |
| CHM640NGP |
SMD |
N |
120 |
200 |
20 |
4 |
18 |
0.15 |
44 |
5 |
355 |
150 |
D2PAK |
| FDB2670 |
SMD |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
- |
5 |
71 |
175 |
TO-263 |
| FDP2670 |
PTH |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
- |
5 |
71 |
175 |
TO-220 |
| KDB2670 |
SMD |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
27 |
5 |
71 |
175 |
TO-263 |