Транзистор CHM02N6ANGP
CHM02N6ANGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM02N6ANGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM05N65PAGP |
SMD |
N |
56 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
10 |
12 |
90 |
150 |
DPAK |
| CS3N65A4H-G |
SMD |
N |
55 |
650 |
30 |
4 |
3 |
3.5 |
11 |
6 |
39 |
150 |
TO-252 |
| CS3N70A3H-G |
PTH |
N |
55 |
700 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
11 |
6 |
39 |
150 |
TO-251 |
| CS4N65A3HD |
PTH |
N |
75 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.5 |
14.5 |
11 |
55 |
150 |
TO-251 |
| CS4N65A3HDY |
PTH |
N |
75 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.5 |
14.5 |
11 |
55 |
150 |
TO-251 |
| CS4N65A4HDY |
SMD |
N |
85 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.5 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-252 |
| CS4N65A8HD |
PTH |
N |
75 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.5 |
14.5 |
11 |
55 |
150 |
TO-220AB |
| HFP2N70S |
PTH |
N |
43 |
700 |
30 |
4 |
1.6 |
7 |
6.2 |
10 |
30 |
150 |
TO-220F |
| MCP04N65 |
PTH |
N |
50 |
650 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
10 |
180 |
150 |
TO-220 |
| MCU04N65 |
SMD |
N |
50 |
650 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
10 |
180 |
150 |
TO-252 |
| SSM03N70GP-H |
PTH |
N |
54 |
700 |
30 |
4 |
2.5 |
4.4 |
12 |
6 |
50 |
150 |
TO-220AB |