Транзистор CSD16323Q3
CSD16323Q3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SON3.3X3.3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 740 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CSD16323Q3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD16327Q3 |
SMD |
N |
3 |
25 |
10 |
1.4 |
21 |
0.004 |
6.2 |
15 |
740 |
150 |
SON3.3X3.3 |