Транзистор FDD16AN08A0_NF054
FDD16AN08A0_NF054 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 135 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 54 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD16AN08A0_NF054 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4180 |
SMD |
N |
150 |
80 |
25 |
4 |
54 |
0.014 |
- |
8.5 |
228 |
175 |
TO-252 |
| BUK7Y14-80E |
SMD |
N |
147 |
80 |
20 |
4 |
65 |
0.014 |
44.8 |
13.2 |
240 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK7Y15-100E |
SMD |
N |
195 |
100 |
20 |
4 |
68 |
0.015 |
54.5 |
21 |
283 |
175 |
LFPAK56 |
| IRFB4510PBF |
PTH |
N |
140 |
100 |
20 |
4 |
62 |
0.0135 |
58 |
32 |
220 |
175 |
TO-220AB |
| IRFR4510PBF |
SMD |
N |
143 |
100 |
20 |
4 |
56 |
0.0139 |
54 |
42 |
213 |
175 |
TO-252 |
| IRFS4510PBF |
SMD |
N |
140 |
100 |
20 |
4 |
61 |
0.0139 |
58 |
32 |
220 |
175 |
TO-263 |
| IRFSL4510PBF |
PTH |
N |
140 |
100 |
20 |
4 |
61 |
0.0139 |
58 |
32 |
220 |
175 |
TO-262 |
| IRFU4510PBF |
PTH |
N |
143 |
100 |
20 |
4 |
56 |
0.0139 |
54 |
42 |
213 |
175 |
TO-251 |
| PSMN013-100YSE |
SMD |
N |
238 |
100 |
20 |
4 |
82 |
0.013 |
75 |
23 |
265 |
175 |
LFPAK |
| STP100N8F6 |
PTH |
N |
176 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.009 |
100 |
46 |
244 |
175 |
TO-220 |