Транзистор FDD16AN08_F085
FDD16AN08_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 135 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD16AN08_F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19503KCS |
PTH |
N |
188 |
80 |
20 |
3.4 |
94 |
0.0092 |
28 |
3 |
555 |
175 |
TO-220 |
| CSD19533KCS |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
3.4 |
86 |
0.0105 |
27 |
5 |
395 |
175 |
TO-220 |
| FDB16AN08A0 |
SMD |
N |
135 |
75 |
20 |
4 |
58 |
0.016 |
28 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDD16AN08A0 |
SMD |
N |
135 |
75 |
20 |
4 |
50 |
0.016 |
31 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| FDP085N10A_F102 |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
- |
68 |
0.0085 |
31 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| FDP16AN08A0 |
PTH |
N |
135 |
75 |
20 |
4 |
58 |
0.016 |
28 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| ST75N75 |
PTH |
N |
200 |
75 |
20 |
4 |
93 |
0.011 |
30 |
36 |
540 |
175 |
TO-220 |