Справочник электронных компонентов

Транзистор FDD6N50F

FDD6N50F - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDD6N50F можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN08N50T220T PTH N 134 500 30 4 8 0.9 14.7 59.6 120 150 TO-220
AFN10N60T220T PTH N 150 600 30 4 10 1 19.38 60.4 135 150 TO-220
FCD9N60NTM SMD N 92.6 600 30 5 9 0.385 17.8 - - 150 TO-252
FDD6N50 SMD N 89 500 30 - 6 0.9 12.8 - - 150 TO-252
FDD6N50TM_F085 SMD N 89 500 30 - 6 0.9 12.8 - - 150 TO-252
FDP7N50 PTH N 89 500 30 5 7 0.9 12.8 - - 150 TO-220
IXTA6N50P SMD N 100 500 30 5 6 1.1 14.6 400 - 150 TO-263
SIHB8N50D SMD N 156 500 30 5 8.7 0.85 15 16 52 150 TO-263
SM5A24NSF PTH N 138 500 30 4.5 10 0.54 17.5 26 460 150 TO-220
SM5A24NSU SMD N 138 500 30 4.5 10 0.54 17.5 26 460 150 TO-252
SM5A24NSUB PTH N 138 500 30 4.5 10 0.54 17.5 26 460 150 TO-251
SRC7N65TC PTH N 104.2 700 30 4.5 7 0.572 18.9 13.1 474 150 TO-220C
STB12NM50FDT4 SMD N 160 500 30 5 12 0.4 12 10 390 150 D2PAK
STB8NM60D SMD N 100 600 30 5 8 1 15 - - 150 D2PAK
STB8NM60T4 SMD N 100 600 30 5 8 1 13 10 100 150 D2PAK
STD5NM50T4 SMD N 100 500 30 5 7.5 0.8 13 8 88 150 DPAK
STD7NM80 SMD N 90 800 30 5 6.5 0.85 18 - - 150 DPAK
STD7NM80-1 PTH N 90 800 30 5 6.5 1.05 18 - - 150 IPAK
STD8N80K5 SMD N 110 800 30 5 6 0.95 16.5 14 50 150 DPAK
STP12NM50FD PTH N 160 500 30 5 12 0.4 12 10 390 150 TO-220
STP8N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 0.95 16.5 14 50 150 TO-220
STU8N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 0.95 16.5 14 50 150 IPAK
STW14NM50FD PTH N 160 500 30 5 14 0.4 12 10 390 150 TO-247