Справочник электронных компонентов

Транзистор FDD850N10LD

FDD850N10LD - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDD850N10LD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP30T10GH SMD N 44.6 100 20 2.5 19 0.055 - 18 115 150 TO-252
AP30T10GS SMD N 44.6 100 20 2.5 19 0.055 - 18 115 150 TO-263
FDD850N10L SMD N 50 100 20 2.5 15.7 0.075 22.2 - - 175 TO-252
FDMS86102LZ SMD N 69 100 20 2.5 22 0.025 16 - - 150 Power56
NVD6824NL SMD N 90 100 20 2.5 41 0.02 34 55 187 175 DPAK
QM0016D SMD N 52.1 100 20 2.5 22 0.047 60 46 137 150 TO-252
QM0016P PTH N 87 100 20 2.5 27 0.047 60 46 137 150 TO-220
RSJ400N10 SMD N 50 100 20 2.5 40 0.027 90 80 270 150 SC-83
SKI10195 SMD N 116 100 20 2.5 47 0.0184 57.7 6.5 300 150 TO-263
SKI10297 SMD N 90 100 20 2.5 34 0.0288 36.5 4.4 195 150 TO-263
SM1A15NSU SMD N 75 100 20 2.5 30 0.044 40 6 120 175 TO-252
SQD40N10-25 SMD N 136 100 20 2.5 40 0.025 46 11 312 175 TO-252
SQJ488EP SMD N 83 100 20 2.5 42 0.021 18 11 372 175 PowerPAKSO-8L
SQM47N10-24L SMD N 136 100 20 2.5 47 0.024 48 6 321 175 TO-263
SQR40N10-25 SMD N 136 100 20 2.5 40 0.025 46 11 312 175 TO-252