Справочник электронных компонентов

Транзистор FDD86113LZ

FDD86113LZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDD86113LZ можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP20N15AGI-HF PTH N 34.7 150 20 3 20.5 0.1 - 20 240 150 TO-220
AP20T15GI PTH N 31.3 150 20 3 22.2 0.07 - 30 125 150 TO-220F
AP50T10GH SMD N 89.2 100 20 3 37 0.03 - 42 190 150 TO-252
AP50T10GI PTH N 31.3 100 20 3 21.8 0.03 - 26 190 150 TO-220F
AP50T10GJ PTH N 89.2 100 20 3 37 0.03 - 42 190 150 TO-251
AP50T10GP PTH N 89.2 100 20 3 37 0.03 - 42 190 150 TO-220
AP50T10GS SMD N 89.2 100 20 3 37 0.03 - 42 190 150 TO-263
CHM25N15LPAGP SMD N 83.3 150 20 3 25 0.07 72 3 245 150 TO-252
FDB86102LZ SMD N 75 100 20 3 30 0.024 15.2 - - 150 TO-263
FDD86102LZ SMD N 54 100 20 3 42 0.0225 18 - - 150 TO-252
FDMC86102L SMD N 41 100 20 3 18 0.023 15 - - 150 Power33
FDMS86252L SMD N 50 150 20 3 12 0.056 - - - 150 Power56
HY18N20D SMD N 48 200 30 3 18 0.092 - 8.6 55 150 TO-252
HY18N20T PTH N 57 200 30 3 18 0.092 - 8.6 55 175 TO-220AB
MDD1903RH SMD N 36.8 100 20 3 12.8 0.105 - 10.6 60 150 TO-252
MDIS1903TH PTH N 36.8 100 20 3 12.8 0.105 - 10.6 60 150 TO-251VS
ME15N10 SMD N 34.7 100 20 3 14.7 0.1 - 33 58 150 TO-252
RU1H40L SMD N 97 100 25 3 40 0.025 - 55 210 175 TO-252
SHD225714 PTH N 136 100 20 3 40 0.032 40 40 - 175 TO-254
ST36N10D SMD и PTH N 83 100 20 3 36 0.048 61 19 270 175 TO-251,TO-252
STB30NF20L SMD N 150 200 20 3 30 0.075 65 12 297 175 D2PAK
SUD40N10-25 SMD N 136 100 20 3 40 0.025 40 40 290 175 TO-252
SUM47N10-24L SMD N 136 100 20 3 47 0.024 40 40 290 175 TO-263
TSM35N10CP SMD N 83.3 100 20 3 32 0.037 34 7 132 150 TO-252