Транзистор FDJ128N
FDJ128N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-75-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 125 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDJ128N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON2410 |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
12 |
1.5 |
8 |
0.021 |
- |
3 |
98 |
150 |
DFN2X2B |
| RU20E8H |
SMD |
N |
2.5 |
20 |
12 |
1.5 |
8.8 |
0.016 |
- |
5 |
65 |
150 |
SOP-8 |