Транзистор FP10W50C
FP10W50C - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ITO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FP10W50C можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN12N65T220FT |
PTH |
N |
51 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.8 |
24.15 |
61.67 |
155 |
150 |
TO-220F |
| AFN12N65T220T |
PTH |
N |
225 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.8 |
24.15 |
61.67 |
155 |
150 |
TO-220 |
| SIHB12N50E |
SMD |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-263 |
| SIHD12N50E |
SMD |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-252 |
| SIHP12N50E |
PTH |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-220AB |
| TMP11N50 |
PTH |
N |
158 |
500 |
30 |
4 |
11 |
0.67 |
28 |
46 |
140 |
150 |
TO-220 |
| TMPF11N50 |
PTH |
N |
51.4 |
500 |
30 |
4 |
11 |
0.67 |
28 |
46 |
140 |
150 |
TO-220F |