Справочник электронных компонентов

Транзистор FQA10N80C_F109

FQA10N80C_F109 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FQA10N80C_F109 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FQA10N80C PTH N 240 800 30 5 10 1.1 45 130 180 150 TO-3P
IXFA10N80P SMD N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-263
IXFH10N80P PTH N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-247
IXFP10N80P PTH N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-220
IXFQ10N80P PTH N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-3P
STB20N95K5 SMD N 250 950 30 5 17.5 0.33 40 12 80 150 D2PAK
STB21N90K5 SMD N 250 900 30 5 18.5 0.299 43 27 112 150 D2PAK
STB25N80K5 SMD N 250 800 30 5 19.5 0.26 40 13 130 150 D2PAK
STP25N80K5 PTH N 250 800 30 5 19.5 0.26 40 13 130 150 TO-220
STW23N85K5 PTH N 250 850 30 5 19 0.275 38 14 115 150 TO-247
STW25N80K5 PTH N 250 800 30 5 19.5 0.26 40 13 130 150 TO-247
STWA12N120K5 PTH N 250 1200 30 5 12 0.69 44.2 11 110 150 TO-247
STWA20N95K5 PTH N 250 950 30 5 17.5 0.33 40 12 80 150 TO-247