Справочник электронных компонентов

Транзистор FQB25N33TM_F085

FQB25N33TM_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 330 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.23 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQB25N33TM_F085 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOK42S60	PTH	N	417	600	30	-	39	0.099	40	53	135	150	TO-247
AOT42S60	PTH	N	417	600	30	-	37	0.109	40	53	135	150	TO-220
APT5018BLL	PTH	N	300	500	30	-	27	0.18	58	9	510	150	TO-247
FDP26N40	PTH	N	265	400	30	5	26	0.16	48	-	-	150	TO-220
FQB25N33TM	SMD	N	250	330	30	5	25	0.23	58	100	290	150	D2PAK
SIHG25N40D	PTH	N	278	400	30	5	25	0.17	44	57	177	150	TO-247AC
SIHG25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-247AC
SIHP25N40D	PTH	N	278	400	30	5	25	0.17	44	57	177	150	TO-220AB
SIHP25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-220AB