Транзистор FQB50N06L
FQB50N06L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 121 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQB50N06L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM90N06-16P |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.0165 |
21 |
17 |
184 |
175 |
TO-220AB |
| AM90N06-19B |
SMD |
N |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.019 |
20 |
6 |
- |
175 |
TO-263 |
| CSD18533KCS |
PTH |
N |
192 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0063 |
14 |
4.8 |
300 |
175 |
TO-220 |
| FDB14AN06L_F085 |
SMD |
N |
125 |
60 |
20 |
- |
67 |
0.0116 |
24 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FQB50N06LTM |
SMD |
N |
121 |
60 |
20 |
2.5 |
52.4 |
0.021 |
24.5 |
380 |
445 |
175 |
D2PAK |
| FQI50N06LTU |
PTH |
N |
121 |
60 |
20 |
2.5 |
52.4 |
0.021 |
24.5 |
380 |
445 |
175 |
I2PAK |
| FQP50N06L |
PTH |
N |
121 |
60 |
20 |
2.5 |
52 |
0.021 |
24.5 |
- |
- |
175 |
TO-220 |