Справочник электронных компонентов

Транзистор FQB55N10

FQB55N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FQB55N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB418L SMD N 333 100 25 3.9 105 0.0097 69 15 382 175 TO-263
AOT418L PTH N 333 100 25 3.9 105 0.01 69 15 382 175 TO-220
AOW418 PTH N 333 100 25 3.9 105 0.01 69 15 382 175 TO-262
FQA55N10 PTH N 190 100 25 4 61 0.026 75 250 640 175 TO-3P
FQB55N10TM SMD N 155 100 25 4 55 0.026 75 250 640 175 D2PAK
FQP55N10 PTH N 155 100 25 4 55 0.026 75 - - 175 TO-220
IRFB4227PBF PTH N 330 200 30 5 65 0.024 70 20 460 175 TO-220AB
IRFB4228PBF PTH N 330 150 30 5 83 0.015 71 59 550 175 TO-220AB
IRFB4321GPBF PTH N 330 150 30 5 83 0.015 71 60 390 175 TO-220AB
IRFB4321PBF PTH N 350 150 30 5 85 0.015 71 60 390 175 TO-220AB
IRFS4227 SMD N 330 200 30 5 62 0.026 70 - - 175 D2PAK
IRFS4227PBF SMD N 330 200 30 5 62 0.026 70 20 460 175 TO-263
IRFS4228PBF SMD N 330 150 30 5 83 0.015 71 59 550 175 TO-263
IRFS4321 SMD N 330 150 30 5 83 0.015 71 - - 175 D2PAK
IRFS4321-7PPBF SMD N 350 150 30 5 86 0.0147 71 60 390 175 TO-263-CA7
IRFS4321PBF SMD N 350 150 30 5 85 0.015 71 60 390 175 TO-263
IRFSL4227PBF PTH N 330 200 30 5 62 0.026 70 20 460 175 TO-262
IRFSL4228PBF PTH N 330 150 30 5 83 0.015 71 59 550 175 TO-262
IRFSL4321PBF PTH N 330 150 30 5 83 0.015 71 60 390 175 TO-262
IXTA60N10T SMD N 176 100 30 4.5 60 0.018 49 59 - 175 TO-263
IXTA80N10T7 SMD N 230 100 30 4.5 80 0.014 60 100 - 175 TO-263
IXTP60N10T PTH N 176 100 30 4.5 60 0.018 49 59 - 175 TO-220