Транзистор FQB8N60CFTM
FQB8N60CFTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 147 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.26 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 105 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB8N60CFTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB7N65CTM |
SMD |
N |
173 |
650 |
30 |
4 |
7 |
1.4 |
28 |
50 |
100 |
150 |
D2PAK |
| FQI8N60CTU |
PTH |
N |
147 |
600 |
30 |
4 |
7.5 |
1.2 |
28 |
60.5 |
105 |
150 |
I2PAK |
| FQP7N65C |
PTH |
N |
160 |
650 |
30 |
4 |
7 |
1.4 |
28 |
50 |
100 |
150 |
TO-220 |
| WFJ8N65B |
PTH |
N |
147 |
650 |
30 |
4 |
7.5 |
1.3 |
28 |
60 |
105 |
150 |
TO-262 |