FQD12P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 330 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD12P10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ | ТИП | СТР. | Pd, Вт | Vds, В | Vgs, В | Vgsth, В | Id, А | Rds, Ом | Qg, нКл | Tr, нС | Ci, пФ | Tj, гр.Ц | КОРПУС |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 12P10 | SMD и PTH | P | 65 | 100 | 30 | - | 9.4 | 0.24 | - | 160 | 220 | 150 | TO-263,SOP-8,TO-251,TO-252,SOT-223,TO-220 |
| FQB12P10TM | SMD | P | 75 | 100 | 30 | 4 | 11.5 | 0.29 | 21 | 160 | 220 | 175 | D2PAK |
| FQD12P10TF | SMD | P | 50 | 100 | 30 | 4 | 9.4 | 0.29 | 21 | 160 | 220 | 150 | DPAK |
| FQD12P10TM | SMD | P | 50 | 100 | 30 | 4 | 9.4 | 0.29 | 21 | 160 | 220 | 150 | DPAK |