Транзистор FQD12P10TM_F085
FQD12P10TM_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD12P10TM_F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB12P10TM |
SMD |
P |
75 |
100 |
30 |
4 |
11.5 |
0.29 |
21 |
160 |
220 |
175 |
D2PAK |
| FQD12P10TF |
SMD |
P |
50 |
100 |
30 |
4 |
9.4 |
0.29 |
21 |
160 |
220 |
150 |
DPAK |
| FQD12P10TM |
SMD |
P |
50 |
100 |
30 |
4 |
9.4 |
0.29 |
21 |
160 |
220 |
150 |
DPAK |