Транзистор FQD14N15TM

FQD14N15TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.21 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD14N15TM можно заменить на: