Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD2N90TF

FQD2N90TF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 900 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD2N90TF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB2N90TM	SMD	N	85	900	30	5	2.2	7.2	12	35	45	150	D2PAK
FQD2N90TM	SMD	N	50	900	30	5	1.7	7.2	12	35	45	150	DPAK
FQI2N90TU	PTH	N	85	900	30	5	2.2	7.2	12	35	45	150	I2PAK
FQU2N90TU	PTH	N	50	900	30	5	1.7	7.2	12	35	45	150	IPAK