Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD9N25TM_F085

FQD9N25TM_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.42 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 15.5 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD9N25TM_F085 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB9N25TM	SMD	N	90	250	30	5	9.4	0.42	15.5	105	110	150	D2PAK
FQD9N25	SMD	N	55	250	30	-	7.4	0.42	15.5	-	-	150	TO-252
FQD9N25TF	SMD	N	55	250	30	5	7.4	0.42	15.5	105	110	150	DPAK
FQD9N25TM	SMD	N	55	250	30	5	7.4	0.42	15.5	105	110	150	DPAK
FQU9N25	PTH	N	55	250	30	-	7.4	0.42	15.5	-	-	150	TO-251
FQU9N25TU	PTH	N	55	250	30	5	7.4	0.42	15.5	105	110	150	IPAK
STB12NM50FDT4	SMD	N	160	500	30	5	12	0.4	12	10	390	150	D2PAK
STD12N50M2	SMD	N	85	500	30	4	10	0.38	15	10.5	33	150	DPAK
STP12NM50FD	PTH	N	160	500	30	5	12	0.4	12	10	390	150	TO-220
STW14NM50FD	PTH	N	160	500	30	5	14	0.4	12	10	390	150	TO-247