Транзистор FQI27N25
FQI27N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQI27N25 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOK42S60 |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
- |
39 |
0.099 |
40 |
53 |
135 |
150 |
TO-247 |
| AOT42S60 |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
- |
37 |
0.109 |
40 |
53 |
135 |
150 |
TO-220 |
| FDA33N25 |
PTH |
N |
245 |
250 |
30 |
5 |
33 |
0.094 |
36 |
- |
- |
150 |
TO-3PN |
| FDB33N25 |
SMD |
N |
235 |
250 |
30 |
- |
33 |
0.094 |
36.8 |
- |
- |
150 |
TO-263 |
| FDB44N25 |
SMD |
N |
307 |
250 |
30 |
- |
44 |
0.069 |
47 |
- |
- |
150 |
TO-263 |
| FDP33N25 |
PTH |
N |
235 |
250 |
30 |
5 |
33 |
0.094 |
36.8 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| FQA27N25 |
PTH |
N |
210 |
250 |
30 |
5 |
27 |
0.11 |
50 |
- |
- |
150 |
TO-3PN |
| FQB27N25TM_AM002 |
SMD |
N |
180 |
250 |
30 |
5 |
25.5 |
0.11 |
50 |
270 |
360 |
150 |
D2PAK |
| FQI27N25TU |
PTH |
N |
180 |
250 |
30 |
5 |
25.5 |
0.11 |
50 |
270 |
360 |
150 |
I2PAK |
| FQI27N25TU_F085 |
PTH |
N |
180 |
250 |
30 |
- |
25.5 |
0.11 |
45 |
- |
- |
150 |
TO-262 |
| FQP27N25 |
PTH |
N |
180 |
250 |
30 |
5 |
25.5 |
0.11 |
50 |
- |
- |
150 |
TO-220 |