Справочник электронных компонентов

Транзистор FQI5N60C

FQI5N60C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FQI5N60C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN06N60T251T PTH N 125 600 30 4 6 1.5 13.32 42.67 83.6 150 TO-251
FDP7N60NZ PTH N 147 600 30 5 6.5 1.25 13 - - 150 TO-220
FQB5N60CTM SMD N 100 600 30 4 4.5 2.5 15 42 55 150 D2PAK
FQI5N60CTU PTH N 100 600 30 4 4.5 2.5 15 42 55 150 I2PAK
HFW5N60S SMD N 100 600 30 4.5 4.5 2.5 10.5 45 60 150 D2PAK
IXTA5N60P SMD N 100 600 30 5.5 5 1.7 14.2 500 - 150 TO-263
STB8NM60D SMD N 100 600 30 5 8 1 15 - - 150 D2PAK
STB8NM60T4 SMD N 100 600 30 5 8 1 13 10 100 150 D2PAK
STD7N80K5 SMD N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 DPAK
STP7N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 TO-220
STU7N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 IPAK
WFJ5N65B PTH N 100 650 30 4 4.5 2.5 13.3 49 95 150 TO-262
WFP5N80 PTH N 100 800 30 4 4.5 2.5 14 85 105 150 TO-220C