Справочник электронных компонентов

Транзистор FQP10N60C

FQP10N60C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.73 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 44 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQP10N60C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOT12N60FD	PTH	N	278	600	30	4	12	0.65	41	90	166	150	TO-220
FQA10N60C	PTH	N	192	600	30	4	10	0.73	44	69	166	150	TO-3PN
FQB10N60CTM	SMD	N	156	600	30	4	9.5	0.73	44	69	166	150	D2PAK
FQI10N60CTU	PTH	N	156	600	30	4	9.5	0.73	44	69	166	150	I2PAK
HFP12N60S	PTH	N	225	600	30	4	12	0.65	38	85	185	150	TO-220
HFW12N60S	SMD	N	225	600	30	4	12	0.65	38	85	185	150	D2PAK
SIHB12N65E	SMD	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-263
SIHP12N65E	PTH	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-220AB
TMP12N60	PTH	N	231	600	30	4	12	0.65	39	53	185	150	TO-220