Справочник электронных компонентов

Транзистор FQPF12P20YDTU

FQPF12P20YDTU - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.47 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 195 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQPF12P20YDTU можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQA12P20	PTH	P	150	200	30	5	12.6	0.47	31	195	190	150	TO-3PN
FQAF12P20	PTH	P	70	200	30	5	8.6	0.47	31	195	190	150	TO-3PF
FQB12P20TM	SMD	P	120	200	30	5	11.5	0.47	31	195	190	150	D2PAK
FQPF12P20	PTH	P	50	200	30	5	7.3	0.47	31	195	190	150	TO-220F
FQPF12P20XDTU	PTH	P	50	200	30	5	7.3	0.47	31	195	190	150	TO-220F
KQB12P20	SMD	P	120	200	30	5	11.5	0.47	31	195	190	150	TO-263