Справочник электронных компонентов

Транзистор FQPF13N50CSDTU

FQPF13N50CSDTU - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.48 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQPF13N50CSDTU можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOT14N50FD	PTH	N	278	500	30	4	14	0.47	38.8	94	179	150	TO-220
AOTF14N50FD	PTH	N	50	500	30	4	14	0.47	38.8	94	179	150	TO-220F
FQA13N50C	PTH	N	218	500	30	4	13.5	0.48	43	100	180	150	TO-3PN
FQB13N50CTM	SMD	N	195	500	30	4	13	0.48	43	100	180	150	D2PAK
FQI13N50CTU	PTH	N	195	500	30	4	13	0.48	43	100	180	150	I2PAK
FQPF13N50CT	PTH	N	48	500	30	4	13	0.48	43	100	180	150	TO-220F
SIHB15N50E	SMD	N	156	500	30	4	14.5	0.28	33	24	51	150	TO-263
SIHH14N60E	SMD	N	147	600	30	4	16	0.255	41	21	74	150	PowerPAK8X8
SIHP15N50E	PTH	N	156	500	30	4	14.5	0.28	33	24	51	150	TO-220AB