Справочник электронных компонентов

Транзистор FQPF7N65C_F105

FQPF7N65C_F105 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQPF7N65C_F105 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN07N65T220T	PTH	N	145	650	30	4	7	1.4	15.5	48	98.6	150	TO-220
CS7N65A0D	SMD	N	100	650	30	4	7	1.4	28	10	100	150	TO-263
CS7N65A3TDY	PTH	N	95	650	30	4	7	1.4	24	10	93	150	TO-251
CS7N65A4TDY	SMD	N	95	650	30	4	7	1.4	24	10	93	150	TO-252
FQB7N65CTM	SMD	N	173	650	30	4	7	1.4	28	50	100	150	D2PAK
FQP7N65C	PTH	N	160	650	30	4	7	1.4	28	50	100	150	TO-220
FQPF7N65CYDTU	PTH	N	52	650	30	4	7	1.4	28	50	100	150	TO-220F
MMD70R600PRH	SMD	N	71	700	30	4	7.3	0.6	23	27.6	34.9	150	TO-252
SIHB6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-263
SIHD6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-252
SIHP6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-220AB
SIHU6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-251