Транзистор FQPF9N50CT
FQPF9N50CT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 65 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 130 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQPF9N50CT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB9N50CTM |
SMD |
N |
135 |
500 |
30 |
4 |
9 |
0.8 |
28 |
65 |
130 |
150 |
D2PAK |
| FQI9N50CTU |
PTH |
N |
135 |
500 |
30 |
4 |
9 |
0.8 |
28 |
65 |
130 |
150 |
I2PAK |
| FQPF9N50CYDTU |
PTH |
N |
44 |
500 |
30 |
4 |
9 |
0.8 |
28 |
65 |
130 |
150 |
TO-220F |
| SIHB12N50E |
SMD |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-263 |
| SIHD12N50E |
SMD |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-252 |
| SIHP12N50E |
PTH |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-220AB |
| STD12N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
DPAK |