Справочник электронных компонентов

Транзистор FQU12N20

FQU12N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.28 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQU12N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CS630A3H	PTH	N	83	200	30	4	9	0.28	13	21	90	150	TO-251
CS630A4H	SMD	N	83	200	30	4	9	0.28	13	21	90	150	TO-252
CS630A8H	PTH	N	83	200	30	4	9	0.28	13	21	90	150	TO-220AB
FQD12N20	SMD	N	55	200	30	-	9	0.28	18	-	-	150	TO-252
FQD12N20TF	SMD	N	55	200	30	5	9	0.28	18	120	125	150	DPAK
FQD12N20TM	SMD	N	55	200	30	5	9	0.28	18	120	125	150	DPAK
FQU12N20TU	PTH	N	55	200	30	5	9	0.28	18	120	125	150	IPAK
STN18D20	SMD	N	112	200	30	5	18	0.22	17.6	23	110	150	TO-252
TMD18N20Z	SMD	N	94	200	30	5	18	0.17	18	30	180	150	DPAK
TMP18N20Z	PTH	N	94	200	30	5	18	0.17	18	30	180	150	TO-220
TMU18N20Z	PTH	N	94	200	30	5	18	0.17	18	30	180	150	IPAK