Справочник электронных компонентов

Транзистор FQU8P10

FQU8P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.53 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQU8P10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB8P10	SMD	P	65	100	30	-	8	0.53	12	-	-	175	TO-263
FQB8P10TM	SMD	P	65	100	30	4	8	0.53	12	110	120	175	D2PAK
FQD8P10	SMD	P	44	100	30	-	6.6	0.53	12	-	-	150	TO-252
FQD8P10TF	SMD	P	44	100	30	4	6.6	0.53	12	110	120	150	DPAK
FQD8P10TM	SMD	P	44	100	30	4	6.6	0.53	12	110	120	150	DPAK
FQD8P10TM_F085	SMD	P	44	100	30	-	6.6	0.53	12	-	-	150	TO-252
FQI8P10TU	PTH	P	65	100	30	4	8	0.53	12	110	120	175	I2PAK
FQP8P10	PTH	P	65	100	30	4	8	0.53	12	-	-	175	TO-220
FQU8P10TU	PTH	P	44	100	30	4	6.6	0.53	12	110	120	150	IPAK